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    基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)也有較大影響。基片溫度高，使吸附原子的動(dòng)能隨著增大，跨越表面勢壘的幾率增大，容易結(jié)晶化，并使薄膜缺陷減少，同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減小。基片溫度低，則易形成無定形結(jié)構(gòu)的薄膜。基片溫度的選擇要視具體情況而定。一般說來，如果沉積的膜層比較薄，當(dāng)基片溫度比較低時(shí)，沉積室內(nèi)的金屬原子很快失去動(dòng)能，并在基片表面上凝結(jié)，這時(shí)的膜層比較均勻致密，當(dāng)基片溫度過高時(shí)反而會(huì)出現(xiàn)大顆晶粒，使膜層表面粗糙.如果沉積比較厚的膜層，一般要求基片溫度適當(dāng)高一些，可以減少膜的內(nèi)應(yīng)力。